單擊NetCouplingSummary,出現(xiàn)耦合總結(jié)表格,，包括網(wǎng)絡(luò)序號(hào)、網(wǎng)絡(luò)名稱,、比較大干擾源網(wǎng)絡(luò),、比較大耦合系數(shù),、比較大耦合系數(shù)所占走線長度百分比、耦合系數(shù)大于0.05的走線 長度百分比,、耦合系數(shù)為0.01?0.05的走線長度百分比,、總耦合參考值。

單擊Impedance Plot (Collapsed),查看所有網(wǎng)絡(luò)的走線阻抗彩圖,。注意,，在彩圖 上方有一排工具欄，通過下拉按鈕可以選擇查看不同的網(wǎng)絡(luò)組,，選擇不同的接收端器件,，選 擇查看單端線還是差分線。雙擊Plot±的任何線段,，對(duì)應(yīng)的走線會(huì)以之前定義的顏色(白色) 在Layout窗口中高亮顯示,。如何選擇適用于DDR3一致性測(cè)試的工具？設(shè)備DDR3測(cè)試銷售

創(chuàng)建工程啟動(dòng)SystemSI工具,，單擊左側(cè)Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項(xiàng),在彈出的WorkspaceFile對(duì)話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕,。在彈出的SelectModule對(duì)話框中選擇ParallelBusAnalysis模塊，單擊OK按鈕,。選擇合適的License后彈出NewWorkspace對(duì)話框在NewWorkspace對(duì)話框中選擇Createbytemplate單選框,，選擇個(gè)模板addr_bus_sparam_4mem,設(shè)置好新建Workspace的路徑和名字，單擊0K按鈕,。如圖4-36所示,，左側(cè)是Workflow,右側(cè)是主工作區(qū)。

分配舊IS模型并定義總線左側(cè)Workflow提示第2步為AssignIBISModels,先給內(nèi)存控制器和SDRAM芯片分配實(shí)際的IBIS模型,。雙擊Controller模塊,，在工作區(qū)下方彈出Property界面，左側(cè)為Block之間的連接信息,，右側(cè)是模型設(shè)置,。單擊右下角的LoadIBIS...按鈕，彈出LoadIBIS對(duì)話框,。設(shè)備DDR3測(cè)試銷售DDR3一致性測(cè)試可以幫助識(shí)別哪些問題,？

DDR 系統(tǒng)概述

DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡(jiǎn)稱為 DDR,。DDR 本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度,，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀/寫數(shù)據(jù)，因而其數(shù)據(jù)速率是標(biāo)準(zhǔn) SDRAM 的兩倍,，至于地址與控制信號(hào)與傳統(tǒng) SDRAM 相同,，仍在時(shí)鐘上升沿進(jìn)行數(shù)據(jù)判決。 DDR 與 SDRAM 的對(duì)比DDR 是一個(gè)總線系統(tǒng)，總線包括地址線,、數(shù)據(jù)信號(hào)線以及時(shí)鐘,、控制線等。其中數(shù)據(jù)信號(hào)線可以隨著系統(tǒng)吞吐量的帶寬而調(diào)整,，但是必須以字節(jié)為單位進(jìn)行調(diào)整,，例如，可以是 8 位,、16 位,、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu),，地址和控制總線是單向信號(hào)，只能從控制器傳向存儲(chǔ)芯片,，而數(shù)據(jù)信號(hào)則是雙向總線,。

DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)DDR 的地址信號(hào)線除了用來尋址以外，還被用做控制命令的一部分,，因此,，地址線和控制信號(hào)統(tǒng)稱為地址/控制總線。DDR 中的命令狀態(tài)真值表,?？梢钥吹剑珼DR 控制器對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作,，就是通過控制信號(hào)的狀態(tài)和地址信號(hào)的組合來完成的,。 DDR 系統(tǒng)命令狀態(tài)真值表

單擊View Topology按鈕進(jìn)入SigXplorer拓?fù)渚庉嫮h(huán)境，可以按前面161節(jié)反射 中的實(shí)驗(yàn)所學(xué)習(xí)的操作去編輯拓?fù)溥M(jìn)行分析,。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進(jìn)行反射和 串?dāng)_的布線后仿真,。

在提取出來的拓?fù)渲校O(shè)置Controller的輸出激勵(lì)為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設(shè)置Pulse頻率等參數(shù),，

單擊OK按鈕退出參數(shù)設(shè)置窗口,，單擊工具欄中的Signal Simulate進(jìn)行仿真分析，

在波形顯示界面里,，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進(jìn)行查看, 可以看到,，差分時(shí)鐘波形邊沿正常，有一些反射,。

原始設(shè)計(jì)沒有接終端的電阻端接,。在電路拓?fù)渲袑⒔K端匹配的上拉電阻電容等電路 刪除，再次仿真,，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進(jìn)行查看,，可以看到， 時(shí)鐘信號(hào)完全不能工作。DDR3內(nèi)存的一致性測(cè)試是否需要長時(shí)間運(yùn)行,？

DDR3拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)規(guī)劃：Fly?by拓?fù)溥€是T拓?fù)?/p>

DDR1/2控制命令等信號(hào),，均采用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。到了 DDR3,由于信號(hào)速率提升,，當(dāng)負(fù) 載較多如多于4個(gè)負(fù)載時(shí),，T拓?fù)湫盘?hào)質(zhì)量較差，因此DDR3的控制命令和時(shí)鐘信號(hào)均釆用 F拓?fù)?。下面是在某?xiàng)目中通過前仿真比較2片負(fù)載和4片負(fù)載時(shí),，T拓?fù)浜虵ly-by拓 撲對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響，仿真驅(qū)動(dòng)芯片為Altera芯片,，IBIS文件 為顆粒為Micron顆粒,，IBIS模型文件為。

分別標(biāo)示了兩種拓?fù)湎碌姆抡娌ㄐ魏脱蹐D,，可以看到2片負(fù)載 時(shí),，F(xiàn)ly-by拓?fù)鋵?duì)DDR3控制和命令信號(hào)的改善作用不是特別明顯，因此在2片負(fù)載時(shí)很多 設(shè)計(jì)人員還是習(xí)慣使用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),。DDR3一致性測(cè)試和DDR3速度測(cè)試之間有什么區(qū)別,？設(shè)備DDR3測(cè)試銷售

進(jìn)行DDR3一致性測(cè)試時(shí)如何準(zhǔn)備備用內(nèi)存模塊？設(shè)備DDR3測(cè)試銷售

DDR（Double Data Rate）是一種常見的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）技術(shù),，它提供了較高的數(shù)據(jù)傳輸速度和帶寬,。以下是DDR系統(tǒng)的概述：

架構(gòu)：DDR系統(tǒng)由多個(gè)組件組成，包括主板,、內(nèi)存控制器,、內(nèi)存槽和DDR內(nèi)存模塊。主板上的內(nèi)存控制器負(fù)責(zé)管理和控制DDR內(nèi)存模塊的讀寫操作,。數(shù)據(jù)傳輸方式：DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率,，即在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸，相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率（SDR）,，DDR具有更高的帶寬,。在DDR技術(shù)中，數(shù)據(jù)在上升沿和下降沿時(shí)都進(jìn)行傳輸,，從而實(shí)現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)傳輸,。速度等級(jí)：DDR技術(shù)有多個(gè)速度等級(jí)，如DDR-200,、DDR-400,、DDR2-800、DDR3-1600等,。速度等級(jí)表示內(nèi)存模塊的速度和帶寬,，通常以頻率來表示（例如DDR2-800表示時(shí)鐘頻率為800 MHz）,。不同的速度等級(jí)對(duì)應(yīng)著不同的數(shù)據(jù)傳輸速度和性能。設(shè)備DDR3測(cè)試銷售